PC-3000 Flash如何处理有问题的内存芯片

存在许多不同的存储芯片,其具有读取问题,例如未校正的ECC错误,由“FF”填充的转储或其他模式等。
在本文中,我们将讨论不同的有问题的内存芯片和解决方案。

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TLC Samsung

EC D7 98 CA

在PC-3000 Flash SSD Edition 6.4版中添加了这种内存芯片的方法 – Read Retry。
在这种情况下使用读取重试方法可以解决读取质量差的问题,而不会降低功率或冷却。 但是可能需要使用替代方法,因为“读取重试”选项不保证100%的结果。

替代方法是降低功率或冷却。
为减少功率,建议使用外部电源开关允许工作在1.50-3.3 V范围内,电压调节为0.01 V步进。
无法通过PC-3000 Flash v.1,v.2和v.3阅读器常规方式执行减少内存芯片读取的电源程序,我们建议在PC-3000 Flash阅读器v.4或更高版本上使用此案例 带电源适配器的PC-3000Flash读卡器v.3。

之所以需要使用0.01 V步骤:

     …现在我明白0.01步骤是重要的事情。


低于1.57 V的错误很多
1.57 – 纠正没有错误
1.58 – 非常严格的纠正
1.59 – 几乎没有任何纠正

同样的情况也发生在1.58-2.5 V.

EC D7 98 CE
EC DE 98 CE
EC A5 98 CE

这些是另一组的有问题的芯片。
不幸的是,冷却程序对这种存储芯片没有帮助。
这些存储芯片的唯一方法是降低功耗。
这些芯片的一个特点是,如果电压低于2.7 V,则无法读取ID。
您可以在最小电压边界的某处获得这些芯片的良好结果,这就是为什么需要以0.01 V步进检查不同的电压值。

此外,非常罕见的情况有很多ECC错误,并且描述的方法没有得到好的结果。
这种情况可以通过4.1 V电源值来修复。
根据数据表的想法,存储芯片应仅在2.7-3.6 V(3.3 +/- 10%)范围内工作,但具有较大值的存储芯片可能会损坏,但在实践中它可以使用4 V电源 价值(但增加到更大的价值是danager)。

让我们总结一下:
读取重试工作范围在3.6-3.9 V之间,但有时需要设置4 V值,ECC将得到完美校正。

TLC Toshiba/Sandisk

98D79892
45D79892
98DE9892
45DE9892

……以及WL算法读取的其他信息。
大多数sch存储器芯片允许使用硬件读取重试选项,这有助于在不降温和降低功率的情况下改善读取结果。
请注意,冷却和降低功耗程序不允许改进结果,唯一的方法是从具有活动读重试选项的子图重新读取问题扇区。

另请注意,Toshiba和Sandisk内存芯片具有不同的读取重试类型,并且无法使用错误的读取重试过程:

1.从东芝mem读取重试。芯片不能用于Sandisk mem。芯片,反之亦然
2.不要混淆运行特定读取重试类型的技术标准。
如果你不能确定存储芯片生产的技术标准,那么让我们检查下面的6字节芯片ID解码参考资料:

例如,我们有两个内存芯片:98DE98927656和98DE98927657。
看起来它们是相同的,但事实并非如此。差异不仅存在于“读取重试”类型中。

56 = 1010110
57 = 1010111

突出显示的位负责定义东芝和Sandisk芯片的技术过程,如果你看一下表……

000 – 130 nanometers.
001 – 90 nanometers.
010 – 70 nanometers.
011 – 56 nanometers.
100 – 43 nanometers.
101 – 32 nanometers.
110 – 24 nanometers.
111 – 19 nanometers.

…然后变得明显,98DE98927656需要读取重试东芝24纳米,但98DE98927657需要19纳米。

32 nm TLC Toshiba и Sandisk.

内存芯片列表(读取重试ID 16):

98D798827600
98DEA8827A55
45D7988276D5
45D798827600
45C798B276D5
45D798B276D5

这些内存芯片也存在一些问题,原因是:

1.如果您读取带有坏块管理的存储芯片,则激活选项芯片不允许读取添加表,因为需要通过实用程序选项手动删除它们。
2字节或1字节模式也是手动选择,新芯片可以同时具有两种类型。

2.基本上这些内存。 芯片有很多比特错误,这就是为什么PC-3000 Flash实用程序有一个特殊的读取重试ID 16程序,允许按子图重新读取扇区。
替代方案(冷却,改变功率)不会带来好结果。

MLC Toshiba/Sandisk

在这些制造商的MLC芯片中存在一些问题。 例如98EE9532,98DE9532等
你可以分开这样的记忆。 TLC芯片的芯片尺寸值。

For MLC it is 8676, 8640, 8832
for TLC it’s 9216.

此外,您可以通过芯片ID中的第三个字节分隔MLC和TLC。

例如98DE 98 92和98DE 95 32:

98 = 10011000
95 = 10010101

蓝色突出显示 – 字节负责数据库的计数,
以红色突出显示 – 字节负责内存芯片类型(SLC,MLC,TLC,QLC),可以是:

00 – SLC
01 – MLC
10 – TLC
11 – QLC

基于此,我们得到以下结果:
98DE9892 – 它是TLC和98DE9532它是MLC存储芯片。

冷却程序对Toshiba和Sandisk MLC内存芯片没有帮助,减少功率程序有助于改善内存芯片的读取结果,仅采用24 nm和32 nm工艺流程(并非总是如此)。
Pc-3000 Flash对这种内存芯片有两种类型的读取重试:

– 读取重试ID 7(东芝模式0) – 用于MLC东芝32,24,19 nm。
– 读取重试ID 14(Sandisk模式2) – 用于MLC Sandisk 24,19 nm。

通常,这些内存芯片的“读取重试”选项可以获得100%的成功结果。

MLC/TLC Hynix

ADDE94D2

这是一个非常有问题的内存芯片。 降低功耗程序几乎没有帮助,但在最后的Pc-3000 Flash软件版本中,您可以使用硬件读取重试选项。
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它允许获得100%(或大约100%)的成功结果。

MLC/TLC Intel/Micron

总的来说,英特尔公司本身并不生产NAND闪存芯片,他们是从美光公司购买的,因此芯片在各方面基本相同。

MLC和TLC Micron内存芯片存在由单元磨损引起的问题,因为dump会有很多错误页面,但是
冷却和降低电源程序没有帮助。

对于Intel和Micron mem芯片,您可以使用以下两种读取重试模式之一:
读取重试ID 1和读取重试ID 2。
以下是内存芯片列表读取重试选项的芯片ID:

读取重试ID 1(L84A / C)

2C 64 44 4B
2C 84 C5 4B
2C 88 28 5F
2C 88 08 5F
2C 64 64 3C
2C A8 09 DF
89 88 24 4B
89 88 28 5F

读取重试 ID 2 (L74A)

2C 88 24 49
2C 88 24 4B
2C A8 05 CB
2C A8 25 CB
89 88 24 49
89 88 24 4B
89 88 04 4B

ECDE98CE 和 EC3AD9CE

非常有问题的内存芯片有很多细微差别。

首先要注意这些具有前4个字节的芯片具有不同技术标准的ID,因此具有不同的读取重试和不同的读取参数。 PC-3000 Flash实用程序具有这些芯片的EXT ID,因此,选择类型Read Retry手册不是必需的,但仅供注意:

ECDE98CE 74C3 – 24 nm,读重试ID 21。
ECDE98CE 74C4 – 19 nm,读取重试ID 20。

EC3AD9CE 74C3 – 24 nm,读重试ID 21。
EC3AD9CE 74C4 – 19 nm,读重试ID 20。

对于ECDE98CE 74C4和EC3AD9CE 74C4的一些修改,需要使用读重试ID 19,但它很少见,基本上是 – ID 20。
如果这些存储器芯片具有非常损坏的存储器单元,则有一种通过子映射重新读取有问题的扇区的好方法,其中使用高达150-250 * C的焊铁来额外加热存储器芯片。
还要注意这样一个事实,即使用这些芯片的某些控制器可以在转储的开头和结尾写入一些垃圾数据,这些垃圾数据在任何情况下都不会重新读取,基本上是正常的行为。

基本上控制器芯片是IS916EN / IS916D。
也可以是EN2685F控制器芯片(在现代SD卡上使用)。

EC1AA8DE 88C5 and EC3CE9DE 88C5

这些存储器芯片具有不同的块大小,并且与ECDE98CE和EC3AD9CE存储器芯片的平面数不同。
因此,这些内存芯片的标准块大小不超过256页,换句话说它不是3到3(而原来的TLC三星mem.chip有192页块大小)也有不同数量的平面,这引入了一些细微差别 典型的交错消除程序。
通常典型的交错消除对于具有4个存储器的存储器芯片(可以是一些差异):

     按块拆分(块大小*页面中的扇区号)
     按块/页面加入对(页面中的扇区号)
     按块拆分(块大小*页面* 2中的扇区号)
     按块/页面加入对(页面中的扇区号* 2)

基本上这个mem芯片需要使用这种参数的典型交错消除:

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我们可以看到它是2个典型的交错消除准备。
关于读取:这些内存芯片的质量与ECDE98CE大致相同。
PC-3000闪存具有针对这些存储芯片的特殊读取重试ID 17。
与ECDE98CE类似,当前存储器芯片的读取结果可以通过加热到150-250 C *来提高,但有时可以提高到300 C *。

读取具有9和109电源方案的TSOP存储器芯片的芯片ID的问题。

目前,一些存储芯片存在读取芯片ID的问题。
以下是有问题的内存芯片列表:

ECDE98CE74C3
ECDE98CE74C4
EC3AD9CE74C3
EC3AD9CE74C4
45DE94937657
45DE949376D7
454CA8927657

那么,获取芯片ID需要做些什么:

1.关闭Flash软件,从读取器中取出内存芯片。
2.重新插入PC-3000 FLASH USB电缆。
3.打开(创建)Flash任务。
4.将内存芯片插入读卡器。
5.启动读取芯片ID并按“跳过”按钮。
6.除掉9和109以外的所有电源方案中的滴答声。
7.按“读取”按钮。

最后一个固件可以在PC-3000闪存读卡器上解决问题。
UpdateBox中提供了更新到最后一个fw版本的手册。
(更新Flash Reader.pdf文档)

从潜在故障芯片中读取转储的问题。

当读取程序整个转储由“FF”填充时,有MLC存储芯片有读取问题的情况:

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为什么会这样?

1.最常见的是通过制造工具修复闪存笔驱动器并忽略数据将会枯竭的警告。例如,Transcend Online Recovery并不总是能够在开始修复尝试之前保存用户数据。
2.固件(控制器芯片)故障。这样的问题并不罕见,最常见的是SM3255EN / SM3257EN控制器芯片,也可以在IS902上。可以和基于其他控制器芯片的案例。
3.存储器芯片的劣化(逻辑电路或存储器单元故障)。
让我们仔细看看。
如您所知,PC-3000 FLASH读取器直接从存储单元读取数据到转储。
实际上,实用程序从存储器单元获得正确的(真实的)数据,但在某些情况下,存储器芯片的内部逻辑具有很大的超时并且工作缓慢。结果我们收到了一个包差距,mem。芯片被冻结并以“FF”模式传输页面或由读取器获取的最后一个字节填充。
这个问题可以通过增加和减少供电方法来修正,也可以通过改变定时值来解决。
在阅读设置中,您可以找到更改计时值的窗口:

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在ONFI规范文档中可以读取的每个参数的预约(也可以在UpdateBox中找到),请注意正确选择读取选项可以消除“FF”或其他常量填充转储的问题。
基本上这个问题可以通过以下参数来解决(但可以和其他参数):

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请注意,增加时间会增加读取时间。
在使用这些计时值重新读取过程后,转储获取正确的(true)用户数据:

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新的19纳米SAMSUNG内存芯片。 采用加热方法的技术。

仅适用于使用PC-3000 Flash阅读器v 3.0 +电源适配器+外部TSOP适配器的用户和使用PC-3000 Flash阅读器v 4.0的用户。

此方法可用于以下内存芯片:

EC0000DE00C5
ECD598DE94C5
EC3CE9DE88C5
EC3AD9DE94C5
ECAEB8DE86C5
ECD798DE94C5
ECDE98DE94C5
EC1AA8DE88C5

1.设置屏幕截图中的电源值:

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2.设定时间:

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3.设置重新读取的值:

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…然后启动重读程序。
最后我们有一个很好的阅读结果:

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另请注意,读取重试不是获得ECC问题的良好结果的通用过程。

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